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举办国内唯一

聚焦于氧化镓技术与产业会议

近日，由浙江大学杭州国际科创中心联合杭州光学精密机械研究所、西安电子科技大学等单位等共同举办的第一届氧化镓技术与产业研讨会在杭州举行。

本次研讨会共吸引了海内外78家高校、32家研究院所、290家企业和37家参展单位，线上参与人数超万人。作为目前国内唯一聚焦于氧化镓技术与产业的会议，研讨会旨在进一步促进我国氧化镓领域基础科学研究、推进产学研深度融合、助力氧化镓产业高质量发展。

中国科学院院士、浙大杭州国际科创中心首席科学家杨德仁院士表示，氧化镓材料作为新一代超宽禁带半导体，已在功率器件、射频器件以及光电探测器等领域展现了无可替代的综合实力，其产业化进程也有待进一步加速。他希望本次大会能够为氧化镓材料、器件的技术发展和产业化构建更加广泛的合作空间和更加科学、严谨的交流互动平台，推动领域内产学研用融通创新，助力关键性技术、前沿引领技术突破，不断推动中国半导体产业高质量发展。

本次研讨会共设氧化镓产业、氧化镓材料、氧化镓器件三个分会场，来自肯尼索州立大学、阿卜杜拉国王科技大学、德国莱布尼兹晶体生长研究所、日本NCT公司、亚洲氧化镓联盟、杭州富加镓业、杭州镓仁半导体等国内外高校、科研院所、产业联盟和企业的专家学者聚焦氧化镓晶体生长与加工、薄膜及外延技术、功率及光电器件性能以及产业发展等主题开展报告，交流氧化镓材料及相关器件的最新进展。

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成功制备3英寸

晶圆级氧化镓单晶衬底

今年7月，位于江南科技城的杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展，成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报道的最大尺寸，达到国际领先水平。

3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。目前，镓仁半导体推出晶圆级(010)氧化镓单晶衬底产品，该产品面向科研市场，满足科研领域对(010)衬底的需求，促进业内产学研协同合作。

此前，镓仁半导体联合浙大杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底。今年4月，杭州镓仁半导体有限公司推出了新产品2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。

未来，公司研发团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展，助力“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。